[发明专利]一种AMOLED像素电路及其驱动方法

说明书

本发明公开了一种AMOLED像素电路，包括呈n行m列矩阵分布的像素单元电路与AMOLED显示区域外围对应每一行像素单元电路的扫描线处设置的补偿电路，所述的像素单元电路包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、发光管D与第一电容C1，所述的补偿电路包括第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6与第二电容C2，n、m为自然数，本发明把像素单元电路内部补偿转化为外部补偿的方式，降低了背板制作难度，成功地将AMOLED像素结构所需的（m T+n C）简化为2T+1C，从而使AMOLED实现了高分辨率（＞500ppi），同时采用P‑type薄膜晶体管制作技术，减少MASK数量，降低了背板的制作成本。

技术领域

本发明涉及AMOLEAD像素驱动电路技术领域，特别是涉及一种AMOLED 像素电路及其驱动方法。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管) 通过在有机材料中电子空穴的复合过程中发射出的光来显示图像,OLED 显示器是一种新兴的平板显示器件，由于其制备工艺简单、成本低、响应速度快、易于实现彩色显示和大屏幕显示、功耗低、容易实现和集成电路驱动器的匹配、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄且易于实现柔性显示等优点，使其具有广阔的应用前景。OLED 的驱动方式分为被动矩阵驱动( 无源驱动，Passive matrix，PM OLED) 和使用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT) 的主动矩阵驱动( 有源驱动，Active Matrix，AM OLED)。

一般的像素驱动电路中包括TFT驱动管，其电流的表达式为：

[方程1]I_OLED = (1/2)* μ*Cox*(W/L)*(V_GS - V_{th-driving TFT}) ²

其中μ为载流子迁移率，W/L为晶体管的宽长比，Cox为单位面积的栅极电容；V_GS 为驱动管的栅极和源极之间的压降；V_{th-driving TFT}为驱动TFT的阈值电压。从方程1 可以看出，在上述的AMOLED 像素驱动电路中，电流I_OLED取决于驱动薄膜晶体管的阈值电压V_{th-driving TFT}，因此在驱动晶体管中的阈值电压的变化会导致OLED 元件发光不均匀，影响OLED 显示面板的灰度以及图像质量。

传统的AMOLED 驱动电路包括两个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称：TFT) 和一个电容，即2T+1C。通常采用低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon，简称：LTPS) 技术制造AMOLED 驱动电路，由于TFT 的阈值电压V_{th-driving TFT}均匀性差并且存在漂移，因此造成流经OLED 驱动电流I_OLED的不均匀。为了解决OLED 驱动电流I_OLED的不均匀的问题，现有改进的技术方案多采用过增加单个像素内部的薄膜晶体管和电容数量，来改善LTPS TFT背板的电学均匀性，即m T + n C结构，如三星电子的6T+2C结构。此方案虽然获得了均匀电学特性的LTPS TFT背板，但由于（子）像素内部电路结构复杂，薄膜晶体管和电容数量较多，需要占用面积较大，即使采用top emission结构，也难以满足高分辨率（>500ppi）显示要求。

发明内容

针对以上现有技术的不足，本发明提供了第一技术方案：一种AMOLED 像素电路，能够解决LTPS TFT背板的电学均匀性与OLED 元件发光不均匀的问题。

本发明提供了第二技术方案：一种AMOLED 像素电路的驱动方法，通过此方法来减少像素单元内部的薄膜晶体管和电容数量，获得高分辨率的AMOLED。