[发明专利]包括双端口静态随机访问存储器单元的装置及其形成方法

摘要

本发明涉及包括双端口静态随机访问存储器单元的装置及其形成方法，所述装置包括衬底以及双端口静态随机访问存储器单元。该衬底包括N阱区、第一P阱区以及第二P阱区。该第一及第二P阱区设于该N阱区的相对侧并沿宽度方向隔开。该静态随机访问存储器单元包括设于该N阱区中的第一及第二上拉晶体管，设于该第一P阱区中的第一对下拉晶体管及第一对访问晶体管，以及设于该第二P阱区中的第二对下拉晶体管及第二对访问晶体管。各该第一对及该第二对下拉晶体管包括第一下拉晶体管以及第二下拉晶体管。该第一下拉晶体管及该第二下拉晶体管的主动区沿该宽度方向隔开。

主权项

一种装置，包括：衬底，包括N阱区、第一P阱区以及第二P阱区，该第一及第二P阱区设于该N阱区的相对侧并沿宽度方向隔开；双端口静态随机访问存储器单元，包括设于该N阱区中的第一上拉晶体管及第二上拉晶体管，设于该第一P阱区中的第一对下拉晶体管及第一对访问晶体管，以及设于该第二P阱区中的第二对下拉晶体管及第二对访问晶体管；其中，各该第一对下拉晶体管及该第二对下拉晶体管包括第一下拉晶体管以及第二下拉晶体管，其中，该第一下拉晶体管的主动区与该第二下拉晶体管的主动区沿该宽度方向隔开。