[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的半导体系统在审
| 申请号： | 201410317779.X | 申请日： | 2014-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN104851447A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 朴相一 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体器件包括模式信号发生器和刷新控制器。模式信号发生器产生模式信号。刷新控制器产生响应于模式信号和部分信号而被顺序使能的第一存储体激活信号和第二存储体激活信号。如果模式信号具有第一电平，则在第一存储体激活信号被使能时将第二存储体激活信号使能。如果模式信号具有第二电平，则在第一存储体激活信号被使能之后，在第一存储体激活信号被禁止时将第二存储体激活信号使能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 包括 半导体 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：模式信号发生器，适于产生模式信号；以及刷新控制器，适于产生响应于所述模式信号和部分信号而被顺序使能的第一存储体激活信号和第二存储体激活信号，其中，如果所述模式信号具有第一电平，则在所述第一存储体激活信号被使能时所述第二存储体激活信号被使能，以及其中，如果所述模式信号具有第二电平，则在所述第一存储体激活信号被使能之后，在所述第一存储体激活信号被禁止时所述第二存储体激活信号被使能。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410317779.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于双端口RAM的伪差分读方案
- 下一篇：一种防丢用U盘
