[发明专利]一种基于极化效应的复合场板高性能AlGaN/GaNHEMT器件结构及制作方法有效
| 申请号： | 201410312712.7 | 申请日： | 2014-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN104037221B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 冯倩;代波;董良;杜锴;郑雪峰;张春福;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L29/51;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368 | 代理人： | 郭官厚 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于极化效应的复合场板高性能AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设有源极、有机绝缘层和漏极，所述有机绝缘层上设有ITO栅电极，有机绝缘层与源极相邻的一侧也设有ITO，该有机绝缘层一侧的ITO与AlGaN掺杂层之间还设有一层栅介质；所述源极与有机绝缘层侧面的ITO之间设有钝化层，漏极与有机绝缘层之间也设有钝化层。本发明实现了对2DEG浓度的部分耗尽作用，实现了栅靠近漏端电场的调制，还提高了器件反偏时的击穿电压，还提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 极化 效应 复合 场板高 性能 algan ganhemt 器件 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于极化效应的复合场板高性能AlGaN/GaN HEMT器件结构，其特征在于，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设有源极、有机绝缘层PTFE和漏极，所述有机绝缘层PTFE上设有ITO栅电极，有机绝缘层PTFE与源极相邻的一侧设有ITO，所述ITO与AlGaN掺杂层之间还设有一层栅介质；所述源极与ITO之间设有钝化层1，漏极与有机绝缘层之间设有钝化层2。
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