[发明专利]LED芯片侧壁腐蚀法及其制得的LED芯片有效
| 申请号： | 201410311297.3 | 申请日： | 2014-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104091861A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 艾国齐 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED芯片侧壁腐蚀法及其制得的LED芯片，LED芯片由晶圆切割得到，晶圆包括衬底及生长于衬底顶面上的外延层结构，侧壁腐蚀法包括对晶圆依序进行以下腐蚀步骤：1)第一侧壁腐蚀：装有100～120℃腐蚀酸的第一侧壁腐蚀槽内，腐蚀1～2分钟；2)第二侧壁腐蚀：装有270～290℃腐蚀酸的第二侧壁腐蚀槽内，腐蚀10～30分钟；3)第三侧壁腐蚀：装有100～120℃腐蚀酸的第一侧壁腐蚀槽内，腐蚀1～2分钟。本发明提供的侧壁腐蚀法能提高所得LED芯片的亮度20％并降低晶圆减薄过程中破片率。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 侧壁 腐蚀 及其 | ||
【主权项】：
一种LED芯片的侧壁腐蚀法，所述LED芯片由晶圆切割得到，所述晶圆包括衬底及生长于所述衬底顶面上的外延层结构，其特征在于，包括对所述晶圆依序进行以下侧壁腐蚀步骤： 1)第一侧壁腐蚀：装有100～120℃腐蚀酸的第一侧壁腐蚀槽内，腐蚀1～2分钟； 2)第二侧壁腐蚀：装有270～290℃所述腐蚀酸的第二侧壁腐蚀槽内，腐蚀10～30分钟； 3)第三侧壁腐蚀：装有100～120℃所述腐蚀酸的第一侧壁腐蚀槽内，腐蚀1～2分钟。
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