[发明专利]一种异质结场阻结构的IGBT及其制备方法有效
| 申请号： | 201410304469.4 | 申请日： | 2014-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN104779277B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 杨凡力 | 申请（专利权）人： | 上海提牛机电设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海智力专利商标事务所(普通合伙) 31105 | 代理人： | 周涛 |
| 地址： | 201405*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质结场阻结构的IGBT，其包括发射极、栅极、漂移区、缓冲区、异质结集电极和金属焊接层，所述异质结集电极设置于IGBT底部，所述缓冲区和漂移区依次叠加在集电极上，所述发射极和栅极设置于漂移区顶部，发射极和栅极并排设置，所述集电极表面还设有金属焊接层。本发明还公开了一种异质结场阻结构IGBT的制备方法。本发明的优点在于用简单的方法制造异质结IGBT的集电区，降低接触电阻和饱和压降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结场阻 结构 igbt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种异质结场阻结构的IGBT，其特征在于，包括发射极、栅极、漂移区、缓冲区、异质结集电极和金属焊接层，所述异质结集电极设置于IGBT底部，所述缓冲区和漂移区依次叠加在异质结集电极上，所述发射极和栅极设置于漂移区顶部，发射极和栅极并排设置，所述金属焊接层设置于异质结电极表面。
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