[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及流量监视方法有效
| 申请号： | 201410302788.1 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104253073B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 川崎润一;船仓满 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 陈伟,李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于通过适当地向衬底收容器内供给惰性气体，从而减轻衬底收容器内的环境气体变化对晶片的影响。提供了一种衬底处理装置(100)，包括供给惰性气体的净化机构，设于配置衬底收容器(110)的载置部(114)和收纳架(105)中的至少一方；监视部，比较经由所述净化机构供给到所述衬底收容器(110)的惰性气体的流量与预先设定的基准值，并输出表示比较结果的信号；以及管理部，根据从所述监视部输出的所述信号，管理所述衬底收容器(110)的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 流量 监视 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，包括：气体供给部，设于配置衬底收容器的载置部和收纳部中的至少一方，并用于供给规定气体；监视部，比较经由所述气体供给部供给到所述衬底收容器的所述规定气体的流量与预先设定的基准值，并输出表示比较结果的信号；以及管理部，根据从所述监视部输出的所述信号来管理所述衬底收容器的输送状态，以将所述衬底收容器内的氧浓度保持为恒定，所述监视部，在所述衬底收容器自搬入到装置内时起直到搬出到装置外的期间，与由衬底收容器输送机构所致的衬底收容器的移动动作联动而向所述衬底收容器供给所述规定气体，同时监视所述规定气体的流量是否为规定的基准值以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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