[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及流量监视方法

说明书

技术领域

本发明涉及在衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及流量监视方法中收容衬底的衬底收容器。

背景技术

以往，作为衬底处理装置的一种的半导体制造装置实施衬底处理工序，所述衬底处理工序作为DRAM、IC等器件的制造工序的一个工序，基于定义了处理条件和处理步骤的制程(工艺制程)来处理衬底(以下称为晶片)。在这种衬底处理装置中，在将多个晶片移载于衬底保持件(以下称为舟皿)的状态下将其装入处理炉内，并实施规定的处理。该情况下，在设于处理炉下部的移载室中，由于在将晶片移载至舟皿的状态下等待处理的开始和结束，存在大气中的氧气(O₂)对热处理前或者热处理后的晶片产生影响的情况。因此，设置对移载室内部进行N₂置换的机构，并将O₂浓度管理为低于规定值。

在该半导体制造装置中，成为处理对象的衬底被收纳于作为衬底收容器的FOUP(front opening unified pod：前开口一体化盒)内，并送入载置部(以下称为装载端口)。在使用FOUP的情况下，由于在将晶片密封的状态下输送晶片，所以即使在周围的环境气体中存在颗粒等，也能够维持晶片的洁净度。

然而，虽然作为衬底收容器的FOUP为密闭容器，但由于其没有完全防止外部空气的流入流出的程度的性能，所以即使在装置送入时为理想状态(例如规定的O₂浓度以下)，在装置送出时之前，随着时间经过，氧气(O₂)浓度上升。因此，为了将FOUP内的O₂浓度保持为恒定，在装置内配置有FOUP期间，需要实施利用N₂气体的净化处理。例如，根据专利文献1，公开了FOUP载置于盒体架时供给惰性气体的结构。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-340641号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的目的在于通过监视供给到衬底收容器内的惰性气体的流量，减轻衬底收容器内的环境气体变化对衬底的影响。

用于解决问题的手段

根据本发明的一实施方式，提供一种衬底处理装置，包括：

气体供给部，设于配置衬底收容器的载置部和收纳部中的至少一方，并用于供给规定气体；

监视部，比较经由所述气体供给部供给到所述衬底收容器的所述规定的气体的流量与预先设定的基准值，并输出表示比较结果的信号；以及

管理部，根据从所述监视部输出的所述信号来管理所述衬底收容器的输送状态。

本发明的其他实施方式提供一种半导体器件的制造方法，包括：

从设于载置部和收纳部中的至少一方的气体供给部向衬底收容器供给规定的气体的工序；

比较经由所述气体供给部供给到所述衬底收容器的所述规定的气体的流量与预先设定的基准值，并输出表示比较结果的信号的工序；

根据所述输出的所述信号来管理所述衬底收容器的输送状态的工序；以及

将被管理了所述输送状态的所述衬底收容器的衬底输送到处理室中进行处理的工序。

本发明的又一其他实施方式提供一种流量监视方法，包括：

比较载置于所述载置部和所述收纳部中的至少一方的状态下供给到衬底收容器内的气体流量与预先设定的基准值，在比较结果小于所述基准值的情况下输出表示流量异常的信号的工序；

异常指定工序，在低于所述基准值的状态下，当超过了规定的监视时间时，进行输出将所述衬底收容器指定为异常的信号的处理；以及

在低于所述基准值的状态下，当未超过规定的监视时间且所述气体流量变得高于所述基准值时，输出表示异常恢复的信号的工序。

发明的效果

根据本发明的衬底处理装置、半导体器件的制造方法及流量监视方法，从衬底收容器被送入装置内时直到被送出装置外期间，通过监视供给到所述衬底收容器内的惰性气体的流量，将所述衬底收容器内的环境气体变化对衬底的影响抑制为较低。

附图说明

图1是本发明一实施方式的衬底处理系统的概要结构图。

图2是本发明一实施方式的衬底处理装置的斜透视图。

图3是本发明一实施方式的衬底处理装置的侧面透视图。

图4是本发明一实施方式的衬底处理装置的处理炉的纵剖视图。

图5是本发明一实施方式的衬底处理装置的控制器结构图。