[发明专利]焊盘的制作方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201410294135.3 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN105225976A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 张贺丰;郎梦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种焊盘的制作方法及半导体器件。该焊盘的制作方法，焊盘形成在金属互连结构中金属区的上方，金属互连结构包括层间介质层和设置在层间介质层中的金属区；在金属区上方形成焊盘的步骤包括：对金属互连结构中金属区的上表面进行粗糙化处理，形成粗糙化表面；以及在粗糙化表面上形成焊盘。这种焊盘的制作方法中，在金属互连结构的金属区上形成焊盘的步骤之前，先对金属区的上表面进行粗糙化处理，能够形成粗糙化表面。在该粗糙化表面上形成焊盘，有利于增加焊盘与金属区之间的“铰合力”，从而有利于提高二者之间的粘接力。在后期的封装过程中，这种较高的粘结力有利于防止焊盘在机械应力或热应力的作用下从金属区上剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 制作方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种焊盘的制作方法，所述焊盘形成在金属互连结构中金属区的上方，所述金属互连结构包括层间介质层和设置在所述层间介质层中的金属区，其特征在于，在所述金属区上方形成所述焊盘的步骤包括：对金属互连结构中金属区的上表面进行粗糙化处理，形成粗糙化表面；以及在所述粗糙化表面上形成所述焊盘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410294135.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于化学蚀刻电介质材料的腔室设备
- 下一篇：封装方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
