[发明专利]四结太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201410285057.0 | 申请日: | 2014-06-24 |
公开(公告)号: | CN104022176A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 宋明辉;林桂江;陈文浚;毕京锋;刘冠洲;杨美佳;李明阳 | 申请(专利权)人: | 天津三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0735 | 分类号: | H01L31/0735;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300384 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种高效四结太阳能电池及其制备方法,其制备方法包括步骤:外延生长第一外延和第二外延结构:使用正装外延技术,在一第一衬底上形成第一外延结构,同时在一第二衬底上形成第二外延结构,其中第一外延结构为在所述第一衬底上依次形成第一子电池、第二子电池和覆盖层;第二外延结构为在所述第二衬底上依次形成第三子电池和第四子电池;形成沟槽并形成键合金属层:在第一外延结构的覆盖层表面与第二外延结构的衬底背面形成沟槽,在所述沟槽内沉积一键合金属层;接合所述第一外延结构和第二外延结构:将第一外延结构的覆盖层表面与第二外延结构的衬底背面贴合,同时保证键合金属层之间彼此对准,经过高温高压处理,实现键合金属层之间和半导体与半导体之间的双重键合,从而形成高效四结太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
四结太阳能电池,包括:第一外延结构和位于其上的第二外延结构,其中第一外延结构包含至下而上依次层叠的第一衬底、第一子电池、第二子电池和覆盖层,第二外延结构包含至下而上依次层叠的第二衬底、第三子电池和第四子电池;所述第一外延结构的覆盖层表面及所述第二外延结构的第二衬底背面具有沟槽,其内沉积有键合金属层,所述第一外延结构的覆盖层表面与所述第二外延结构的第二衬底背面接合,其接合面划分为沟槽区域和除沟槽区域以外的其他区域,其中所述沟槽区域为所述沟槽所在区域,其为所述键合金属层的键合界面,其他区域为所述覆盖层与所述第二衬底的键合界面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津三安光电有限公司,未经天津三安光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410285057.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:混合动力车辆用自动变速器
- 下一篇:轮胎
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的