[发明专利]四结太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410285057.0 申请日: 2014-06-24
公开(公告)号: CN104022176A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 宋明辉;林桂江;陈文浚;毕京锋;刘冠洲;杨美佳;李明阳 申请(专利权)人: 天津三安光电有限公司
主分类号: H01L31/0735 分类号: H01L31/0735;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300384 天津市*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明提供一种高效四结太阳能电池及其制备方法,其制备方法包括步骤:外延生长第一外延和第二外延结构:使用正装外延技术,在一第一衬底上形成第一外延结构,同时在一第二衬底上形成第二外延结构,其中第一外延结构为在所述第一衬底上依次形成第一子电池、第二子电池和覆盖层;第二外延结构为在所述第二衬底上依次形成第三子电池和第四子电池;形成沟槽并形成键合金属层:在第一外延结构的覆盖层表面与第二外延结构的衬底背面形成沟槽,在所述沟槽内沉积一键合金属层;接合所述第一外延结构和第二外延结构:将第一外延结构的覆盖层表面与第二外延结构的衬底背面贴合,同时保证键合金属层之间彼此对准,经过高温高压处理,实现键合金属层之间和半导体与半导体之间的双重键合,从而形成高效四结太阳能电池。
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
四结太阳能电池,包括:第一外延结构和位于其上的第二外延结构,其中第一外延结构包含至下而上依次层叠的第一衬底、第一子电池、第二子电池和覆盖层,第二外延结构包含至下而上依次层叠的第二衬底、第三子电池和第四子电池;所述第一外延结构的覆盖层表面及所述第二外延结构的第二衬底背面具有沟槽,其内沉积有键合金属层,所述第一外延结构的覆盖层表面与所述第二外延结构的第二衬底背面接合,其接合面划分为沟槽区域和除沟槽区域以外的其他区域,其中所述沟槽区域为所述沟槽所在区域,其为所述键合金属层的键合界面,其他区域为所述覆盖层与所述第二衬底的键合界面。
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