[发明专利]一种硅/氧化硅基新型微栅及其制备方法

摘要

本发明提供一种硅/氧化硅基新型微栅及其制备方法，所述微栅上的载网和支撑膜材料分别为Si和SiO₂，所述载网厚度为50~120μm，所述支撑膜厚度为50~250nm；所述微栅厚度，即载网和支撑膜厚度总和为50~120μm；所述微栅具有“十字刻蚀Cross-Etching”的通孔结构，通过在基片正反两面先后进行深刻蚀，两面分别形成定向排列的沟道阵列，且两面间沟道阵列取向互相垂直，两侧面沟道在垂直相交处存在通孔。本发明所得产品能耐高温可以实现TEM下一些特殊条件下的测试，可以作为生长衬底，实现部分纳米材料的免转移表征，避免对待观测纳米材料的破坏和污染。本发明方法工艺简单，生产成本低。 

主权项

一种硅/氧化硅基新型微栅，其特征在于，所述微栅包括载网和在载网上表面形成的支撑膜，载网和支撑膜材料分别为Si和SiO₂，所述载网厚度为50~120 μm，所述支撑膜厚度为50~250 nm；所述微栅厚度，即载网和支撑膜厚度总和；所述微栅上下两侧面分别刻蚀有定向排列的刻蚀沟道阵列，且两侧面间的刻蚀沟道阵列上互相垂直，在两侧面的刻蚀沟道的垂直相交处刻蚀有刻蚀通孔。