[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201410280862.4 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN104238286A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 结城秀昭;绫淳;鹿间省三 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种半导体装置的制造方法，其简单地减少由微泡引起的显影缺陷。本发明的半导体装置的制造方法具有以下工序：(a)准备在一个主面上形成有光致抗蚀剂膜(2)的碳化硅衬底(1)的工序；(b)将第1显影液(3)滴下至光致抗蚀剂膜(2)上的工序；(c)在工序(b)结束后经过第1显影时间后，使碳化硅衬底(1)旋转，从光致抗蚀剂膜(2)上甩掉第1显影液(3)的工序；(d)在工序(c)之后向光致抗蚀剂膜(2)上滴下第2显影液(3)的工序；以及(e)在工序(d)结束后经过第2显影时间后，使碳化硅衬底(1)旋转，从光致抗蚀剂膜(2)上甩掉第2显影液(3)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其具有以下工序：(a)准备在一个主面上形成有光致抗蚀剂膜的半导体衬底的工序；(b)将第1显影液滴下至所述光致抗蚀剂膜上的工序；(c)在所述工序(b)结束后经过第1显影时间后，使所述半导体衬底旋转，从所述光致抗蚀剂膜上甩掉所述第1显影液的工序；(d)在所述工序(c)之后向所述光致抗蚀剂膜上滴下第2显影液的工序；以及(e)在所述工序(d)结束后经过第2显影时间后，使所述半导体衬底旋转，从所述光致抗蚀剂膜上甩掉所述第2显影液的工序。
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