[发明专利]一种含环配位聚合物及其制备方法无效
| 申请号： | 201410278541.0 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN104017006A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 刘国政;胡慧 | 申请（专利权）人： | 刘国政 |
| 主分类号： | C07F3/08 | 分类号： | C07F3/08;C09K11/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518104 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及配位聚合物领域，具体涉及一种含环配位聚合物及其制备方法。一种含环配位聚合物，化学式为C23H22CdN2O4，所述含环配位聚合物为单斜晶系，P21/c空间群，晶胞参数为a=10.010(3)Å，b=22.484(7)Å，c=10.344(3)Å，α=90.00º，β=116.493(6)º，γ=90.00º，V=2083.7(12)Å3。本发明的含环配位聚合物易于制备、稳定性好，合成出来的材料缺陷少，结晶度高。该含环配位聚合物在分子磁体、催化、传感、分子识别、分子发光等领域有非常好的潜在的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 配位聚合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含环配位聚合物，其特征在于：化学式为C23H22CdN2O4，所述含环配位聚合物为单斜晶系，P21/c空间群，晶胞参数为a=10.010(3)Å，b=22.484(7)Å，c=10.344(3)Å，α=90.00o，β=116.493(6)o，γ=90.00o，V=2083.7(12)Å3。
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