[发明专利]带有集成肖特基二极管的MOSFET

摘要

本发明的各个方面提出了一种肖特基结构，其中两个沟槽形成在半导体材料中。沟槽通过台面结构相互间隔开。每个沟槽都有第一和第二导电部分，内衬第一和第二侧壁。第一和第二部分导电材料在每个沟槽中相互电绝缘。肖特基接头形成在最外面的导电部分之间的任意位置。肖特基结构形成在器件晶片的有源区或端接区中。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。

主权项

一种肖特基结构，其特征在于，其包含：两个形成在半导体材料中的沟槽，通过台面结构相互间隔开，其中每个沟槽都内衬电介质材料，其中第一部分导电材料沿每个沟槽的第一侧壁沉积，第二部分导电材料沿每个沟槽的第二侧壁沉积，其中第一和第二部分导电材料相互电绝缘；以及一个或若干个肖特基接头，形成在两个沟槽的最外面侧壁之间；第一沟槽中的第一部分导电材料维持在栅极电势；第一沟槽中的第二部分导电材料维持在源极电势。