[发明专利]氧化物薄膜晶体管结构制作方法及氧化物薄膜晶体管结构有效
| 申请号： | 201410277587.0 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104037090B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 胡宇彤;曾志远;苏智昱;李文辉;吕晓文;石龙强;张合静 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管结构的制作方法及氧化物薄膜晶体管结构。该氧化物薄膜晶体管结构的制作方法包括如下步骤：步骤1、提供载体；步骤2、形成氧化物半导体层(4)；步骤3、形成蚀刻阻挡层(5)；步骤4、在蚀刻阻挡层(5)上形成两个通孔(51、53)，露出部分氧化物半导体层(4)；步骤5、移除露置于两个通孔(51、53)内的氧化物半导体层(4)的表层，形成两个分别与该两个通孔(51、53)连通的凹槽(41、43)；步骤6、于蚀刻阻挡层(5)上形成源极(61)与漏极(63)，且该源极(61)填充一个通孔(51)及与其连通的凹槽(41)，该漏极(63)填充另一个通孔(53)及与其连通的凹槽(43)；步骤7，进行后制程。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供载体；步骤2、于载体上形成氧化物半导体层(4)；步骤3、于氧化物半导体层(4)上形成蚀刻阻挡层(5)；步骤4、在蚀刻阻挡层(5)上形成两个通孔(51、53)，露出部分氧化物半导体层(4)；步骤5、移除露置于两个通孔(51、53)内的氧化物半导体层(4)的表层，形成两个分别与该两个通孔(51、53)连通的凹槽(41、43)；步骤6、于蚀刻阻挡层(5)上形成源极(61)与漏极(63)，且该源极(61)填充一个通孔(51)及与其连通的凹槽(41)，从而与氧化物半导体层(4)连接，该漏极(63)填充另一个通孔(53)及与其连通的凹槽(43)，从而与氧化物半导体层(4)连接。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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