[发明专利]半导体DBR、半导体发光器件及制造半导体DBR 的方法在审
| 申请号： | 201410274243.4 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104242055A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 川岛毅士 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体DBR、半导体发光器件及制造半导体DBR的方法。该半导体DBR包括第一多层结构、第二多层结构以及保护层。第一多层结构包括：多个第一半导体层，一个或更多个第二半导体层，每个第二半导体层都插入在多个第一半导体层中的对应一对第一半导体层之间；第二多层结构包括：多个第三半导体层，一个或更多个第二半导体层，每个第二半导体层都插入在多个第三半导体层中的对应一对第三半导体层之间；保护层插入在第一多层结构与第二多层结构之间。第二半导体层具有比第一半导体层低的分解温度。第三半导体层具有比第二半导体层低的分解温度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 dbr 发光 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体分布式布拉格反射器，包括：第一多层结构，包括：多个第一半导体层，以及一个或更多个第二半导体层，每个第二半导体层都插入在所述多个第一半导体层中的对应一对第一半导体层之间；第二多层结构，包括：多个第三半导体层，以及一个或更多个第二半导体层，每个第二半导体层都插入在所述多个第三半导体层中的对应一对第三半导体层之间；以及保护层，插入在所述第一多层结构与所述第二多层结构之间，其中，所述第二半导体层具有比所述第一半导体层低的分解温度，所述第三半导体层具有比所述第二半导体层低的分解温度，所述半导体分布式布拉格反射器具有在波长λ处的峰值反射率，所述多个第一半导体层、所述一个或更多个第二半导体层和所述多个第三半导体层中的每一层都具有nλ/4的光学厚度，其中n是大于等于1的奇数，所述保护层具有mλ/2的光学厚度，其中m是大于等于1的自然数，以及所述保护层的与第二多层结构形成接触的一部分包括具有比所述第三半导体层高的分解温度的材料。
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