[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410270479.0 | 申请日： | 2014-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104241287B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 宋泰中;朴在浩;白康铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;戴嵩玮 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置。该半导体装置包括在基底上彼此相邻的第一存储单元区域和第二存储单元区域。至少一个有源基体和一个浅沟槽隔离件可以顺序地层叠在第一存储单元区域和第二存储单元区域之间的边界处。第一有源鳍和第二有源鳍形成在浅沟槽隔离件的相应的侧面上，第一有源鳍和第二有源鳍从有源基体突出。至少一个深沟槽隔离件形成在有源基体的一个侧面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 存储单元区域 第二存储单元 浅沟槽隔离 深沟槽隔离件 侧面 顺序地层 边界处 基底 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一存储单元区域和第二存储单元区域，在基底上彼此相邻；至少一个有源基体和一个浅沟槽隔离件，顺序地层叠在第一存储单元区域和第二存储单元区域之间的边界处；第一有源鳍和第二有源鳍，分别位于浅沟槽隔离件的相应的侧面上，第一有源鳍和第二有源鳍从共用的有源基体突出；以及至少一个深沟槽隔离件，位于有源基体的一个侧面上，其中，在第一存储单元区域和第二存储单元区域中的每个储存单元区域中布置奇数个有源鳍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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