[发明专利]一种自组装制备高密度纳米相变结构的方法

摘要

理论和实验均表明，通过缩小相变区域可以减小可逆相变所需的能量，进而达到降低功耗目的。传统的制备高密度纳米结构需多步的复杂工艺，需精密的纳米曝光，制备周期长，效率低。本发明提供一种自组装制备高密度纳米相变结构的方法。在硅片、石英片等介质或导电衬底上制备相变材料薄膜，采用自组装方法制备出均匀、有序排列的纳米球阵列；纳米球阵列的间距可以利用等离子体或者反应离子刻蚀技术进行调节。以该纳米球阵列为掩模，利用刻蚀技术，制备有序、均匀、高密度的纳米相变结构。利用本发明所述的方法制备高密度纳米相变结构不但节约了制备成本，提高了制备效率，而且可以有效地降低功耗，提高器件的光电性能。

主权项

一种自组装制备高密度纳米相变结构的方法，其特征在于: 在平整的衬底或基底上制备相变材料薄膜，然后利用浸没或注射的方法在相变材料薄膜表面形成纳米球阵列；以该纳米球阵列为掩模，利用等离子体刻蚀或者反应离子刻蚀技术刻蚀纳米球周围的相变材料薄膜，从而制备出有序、均匀、高密度的纳米相变结构；制备该高密度纳米相变结构不需要昂贵的纳米加工设备，只需利用纳米球作为掩模，通过一步刻蚀法即可完成，制备工艺简单，成本低廉。