[发明专利]一种LED倒装芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种LED倒装芯片，包括蓝宝石衬底、LED外延片和依次设置在蓝宝石衬底上的n型GaN层、量子阱有源区、p型GaN层和金属反射层，刻蚀所述n型GaN层以形成n型GaN层裸露区域，在所述的p型GaN层与金属反射层之间依次设有透明导电层和介质反射层；所述介质反射层上设有通孔，所述金属反射层通过该通孔延伸至与透明导电层相连接；在n型GaN裸露层和金属反射层上分别设有n和p电极。本发明通过加入透明导电层和多层介质反射层，解决了单一金属层高反射率和低电阻率之间的矛盾，本器件具有出光率高、开启电压低的优点，具有更好的可靠性，更加适合于倒装LED领域的运用。

主权项

一种LED倒装芯片，包括蓝宝石衬底（1）、LED外延片和依次设置在蓝宝石衬底（1）上的n型GaN层（2）、量子阱有源区（3）、p型GaN层（4）和金属反射层（5），刻蚀所述n型GaN层（2）以形成n型GaN层裸露区域，其特征在于，在所述的p型GaN层（4）与金属反射层（5）之间依次设有透明导电层（6）和介质反射层（7）；所述介质反射层（7）上设有通孔，所述金属反射层（5）通过该通孔延伸至与透明导电层（6）相连接；在n型GaN裸露层和金属反射层（5）上分别设有n和p电极。