[发明专利]表面多孔碳化硅材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410258516.6 申请日: 2014-06-12
公开(公告)号: CN104003751A 公开(公告)日: 2014-08-27
发明(设计)人: 姚秀敏;黄政仁;刘学建;陈忠明 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B38/02 分类号: C04B38/02;C04B35/565;C04B35/622
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;郑优丽
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种表面多孔碳化硅材料及其制备方法,所述方法包括:1)将碳化硅、烧结助剂混合均匀、干燥、过筛制得第一混合粉体;2)将碳化硅、烧结助剂、造孔剂混合均匀、干燥、过筛制得第二混合粉体;3)将所述第一混合粉体和第二混合粉体依次加入模具,干压、等静压成型制得表面多孔碳化硅材料的素坯;4)将所述素坯在600~900℃下热处理脱粘;以及5)将经脱粘处理的速配在真空或氩气条件下于1900-2200℃烧成。
搜索关键词: 表面 多孔 碳化硅 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种表面多孔碳化硅材料的制备方法,其特征在于,所述方法包括:1)将碳化硅、烧结助剂混合均匀、干燥、过筛制得第一混合粉体,其中以所述碳化硅的含量为100%计,所述烧结助剂的重量百分比为2~10wt%;2)将碳化硅、烧结助剂、造孔剂混合均匀、干燥、过筛制得第二混合粉体,其中所述第二混合粉体中烧结助剂与第一混合粉体中的相同,且烧结助剂和碳化硅的重量比与第一混合粉体的相同,造孔剂占第二混合粉体的体积百分比为5~22%;3)将所述第一混合粉体和第二混合粉体依次加入模具,干压、等静压成型制得表面多孔碳化硅材料的素坯;4)将所述素坯在600~900℃下热处理脱粘;以及5)将经脱粘处理的速配在真空或氩气条件下于1900‑2200℃烧成。
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