[发明专利]一种相变存储器热串扰测试方法有效

专利信息
申请号: 201410256649.X 申请日: 2014-06-10
公开(公告)号: CN104051021B 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 李震;刘畅;赖志博;缪向水;程晓敏 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G11C29/02 分类号: G11C29/02
代理公司: 华中科技大学专利中心42201 代理人: 梁鹏
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种相变存储器的热串扰测试方法,该方法利用相变存储单元中的相变材料本身作为温度探测器,通过在一个相变存储单元上施加激励信号,在另一个相邻的相变存储单元上施加测试信号,采集相邻的相变存储单元上的响应信号,利用相变材料在不同温度下电学性能及性质的差异来测量相变存储单元编程过程中相邻的单元所受到的热串扰影响大小,从而对相变存储器热串扰稳定性进行评估。本发明适用于一般的相变存储单元结构,不需要集成其他部件,提高了热串扰测试的可靠性。
搜索关键词: 一种 相变 存储器 热串扰 测试 方法
【主权项】:
一种相变存储器热串扰的测试方法,其特征在于,分别给相邻的两个相变存储单元施加激励信号与测试信号,其中一相变存储单元接收激励信号,接受测试信号的相邻相变存储单元中自身的相变材料作为温度探测器,获得该相变存储单元所受到的来自的相邻的相变存储单元的热串扰下测试信号的响应信号;所述测试方法包括两个阶段,预测试阶段和测试阶段;所述预测试阶段,对相变存储单元施加一定数目的激励信号脉冲,测量相邻的相变存储单元的电阻值;所述测试阶段,对相变存储单元施加单个或连续的激励信号脉冲,测量相邻的相变存储单元的电学参数,该电学参数包括相变存储单元在不同温度下的阈值电压、晶化脉冲幅度、晶化脉冲宽度和晶化时间;其中在执行所述预测试阶段时,若被施加测试信号的相变存储器单元的电阻值下降至原电阻值的二分之一以下,则预测试阶段不通过,不执行测试阶段的操作。
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