[发明专利]一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201410256444.1 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN104037285B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32;H01L33/00;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaN薄膜，其包括由下至上依次排列的Si衬底、AlN缓冲层、GaN形核层、GaN外延层；所述Si衬底的晶体取向为111面偏100方向0.5‑1°；通过衬底以及其晶向的选取、采用脉冲激光沉积工艺生长AlN缓冲层、采用金属有机化学气相沉积工艺生长GaN形核层、采用金属有机化学气相沉积工艺生长GaN外延层等步骤制备而成。本发明的GaN薄膜应用于LED器件、光电探测器等器件中，具有密度低、结晶质量好、成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 si 衬底 gan 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种生长在Si衬底上的GaN薄膜，其特征在于：其包括由下至上依次排列的Si衬底、AlN缓冲层、GaN形核层、GaN外延层；所述Si衬底的晶体取向为111面偏100方向0.5‑1°；上述生长在Si衬底上的GaN薄膜的制备方法，顺次包括以下步骤：1)衬底以及其晶向的选取：采用Si衬底，选取111面偏100方向0.5‑1°的晶体取向；2)采用脉冲激光沉积工艺生长AlN缓冲层；3)采用金属有机化学气相沉积工艺生长GaN形核层；4)采用金属有机化学气相沉积工艺生长GaN外延层。
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