[发明专利]生长CMOS图像传感器反光膜的方法

摘要

一种生长CMOS图像传感器反光膜的方法，包括：在逻辑区上形成栅极多晶硅及多晶硅侧墙之后，在逻辑区以及形成光电二极管的像素区上沉积一层反光膜刻蚀截止层，反光膜刻蚀截止层包括氧化物层上方的氮化物层；刻蚀掉光电二极管上方的反光膜刻蚀截止层；沉积包括下层氧化物层和上层氮化物层的反光膜；将逻辑区及像素区中除了光电二极管上方之外的区域的反光膜刻蚀掉；将逻辑区中将要形成硅化物的区域上的反光膜刻蚀截止层刻蚀掉，随后在去除了反光膜刻蚀截止层的区域表面生长硅化物；在逻辑区和像素区中沉积接触孔刻蚀截止层；在逻辑区和像素区中进行层间电介质沉积，并对沉积的层间电介质进行化学机械抛光平坦化处理以形成层间电介质层。

主权项

一种生长CMOS图像传感器反光膜的方法，其特征在于包括：第一步骤，用于在晶圆的逻辑区上形成栅极多晶硅及多晶硅侧墙之后，在逻辑区以及形成光电二极管的像素区上沉积一层反光膜刻蚀截止层，其中反光膜刻蚀截止层包括氧化物层以及处于氧化物层上方的氮化物层；第二步骤，用于刻蚀掉像素区中光电二极管上方的反光膜刻蚀截止层，而且像素区中除了光电二极管上方之外的区域的反光膜刻蚀截止层被保留；第三步骤，用于沉积反光膜，反光膜包括下层氧化物层和上层氮化物层；第四步骤，用于将逻辑区以及像素区中除了光电二极管上方之外的区域的反光膜刻蚀掉；第五步骤，用于将逻辑区中将要形成硅化物的区域上的反光膜刻蚀截止层刻蚀掉，随后在去除了反光膜刻蚀截止层的区域表面生长硅化物；第六步骤，用于在逻辑区和像素区中均沉积接触孔刻蚀截止层；第七步骤，用于在逻辑区和像素区中均进行层间电介质沉积，并对沉积的层间电介质进行化学机械抛光平坦化处理以形成表面平整的层间电介质层。