[发明专利]PMOS器件漏电测量方法有效
| 申请号： | 201410253237.0 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103996637B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 杜宏亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种PMOS器件漏电测量方法，包括：将形成有CMOS器件的晶圆放在测试托盘上，其中CMOS器件包括形成在同一衬底上的成对的PMOS器件和NMOS器件；而且，PMOS器件包括形成在衬底中的N阱中的P型漏极、P型源极以及N型体区接触区，NMOS器件包括形成在衬底中的P阱中的N型漏极、N型源极以及P型体区接触区；N阱与P阱通过隔离区电隔离；以及在对NMOS器件的接触区施加与N型体区接触区上的电压相同的电压的情况下对PMOS器件执行漏电测量。本发明提供了一种PMOS器件漏电测量方法，其能够在不改变现有CMOS器件的布局的状况下，解决测试中出现的PMOS关闭状态漏电偏大的情况，提升器件的利用效率，从而减少布局占用面积，达到降低成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 器件 漏电 测量方法 | ||
【主权项】：
一种PMOS器件漏电测量方法，其特征在于包括：将形成有CMOS器件的晶圆放在测试托盘上，其中CMOS器件包括形成在同一衬底上的成对的PMOS器件和NMOS器件；而且，PMOS器件包括形成在衬底中的N阱中的P型漏极、P型源极以及N型体区接触区，NMOS器件包括形成在衬底中的P阱中的N型漏极、N型源极以及P型体区接触区；N阱与P阱通过隔离区电隔离；以及在对NMOS器件的接触区施加与N型体区接触区上的电压相同的电压的情况下对PMOS器件执行漏电测量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410253237.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
