[发明专利]PMOS器件漏电测量方法

权利要求书

1.一种PMOS器件漏电测量方法，其特征在于包括：

将形成有CMOS器件的晶圆放在测试托盘上，其中CMOS器件包括形成在同一衬底上的成对的PMOS器件和NMOS器件；而且，PMOS器件包括形成在衬底中的N阱中的P型漏极、P型源极以及N型体区接触区，NMOS器件包括形成在衬底中的P阱中的N型漏极、N型源极以及P型体区接触区；N阱与P阱通过隔离区电隔离；以及

在对NMOS器件的接触区施加与N型体区接触区上的电压相同的电压的情况下对PMOS器件执行漏电测量。

2.根据权利要求1所述的PMOS器件漏电测量方法，其特征在于，与N型体区接触区上的电压相同的电压是0V电压。

3.根据权利要求1或2所述的PMOS器件漏电测量方法，其特征在于，对PMOS器件执行漏电测量包括：测量PMOS器件的体区端接触区处的泄漏电流、PMOS器件的漏极处的电流、PMOS器件的栅极处的电流、以及PMOS器件的源极处的电流，并且确定这些电流之间的关系。