[发明专利]一种硅基铁电栅薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201410246523.4 | 申请日： | 2014-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103996718A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 钟向丽;丁涛;张溢;宋宏甲;王金斌;周益春 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L21/285 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 魏娟 |
| 地址： | 411105*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基铁电栅薄膜晶体管及其制备方法，该晶体管底层为斜切单晶硅衬底(1)，中间层从下到上依次为钙钛矿导电氧化物底栅电极(2)、铁电绝缘层(3)和氧化物半导体有源层(4)，顶层为晶体管源极(5)和漏极(6)；其中，所述斜切单晶硅衬底(1)为具有原子尺寸台阶的本征硅。所述铁电栅薄膜晶体管是一种非挥发性存储器件，它除了具有铁电随机存储器的强抗辐射、高读写速度、低功耗等优点之外，还具有开启电压低、开关比大、器件结构和制备工艺更加简单、成本低、易与现有硅工艺兼容，可实现全外延结构的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基铁电栅 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基铁电栅薄膜晶体管，其特征在于，该晶体管底层为斜切单晶硅衬底(1)，中间层从下到上依次为钙钛矿导电氧化物底栅电极(2)、铁电绝缘层(3)和氧化物半导体有源层(4)，顶层为晶体管源极(5)和漏极(6)；其中，所述斜切单晶硅衬底(1)为具有原子尺寸台阶的本征硅。
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