[发明专利]一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管

摘要

本发明公开一种新的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。该结构包括漂移区下面的掺杂埋层一区、与周期性分块漂移区相间隔存在的掺杂埋层二区、漂移区上面的掺杂埋层三区，其中漂移区受到了四周的掺杂埋层的电荷平衡的作用，可以得到高的击穿电压，由于重掺杂的埋层可以使得漂移区增加浓度，从而降低比导通电阻，并且由于漂移区受到的埋层作用是四个方向的，因此击穿电压和比导通电阻的优化可以得到最佳。

主权项

一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的基区和漂移区；位于所述基区表面的源区；位于漂移区表面的漏区；其特征在于：所述漂移区的上下左右均邻接有重掺杂埋层，所述重掺杂埋层的掺杂类型与半导体衬底相同；所述重掺杂埋层包括：位于半导体衬底表面、漂移区下方的重掺杂埋层一区；位于重掺杂埋层一区表面、漂移区左右两侧的重掺杂埋层二区；位于漂移区和重掺杂埋层二区表面的重掺杂埋层三区；重掺杂埋层的三个区域均与基区和漏区相邻接。