[发明专利]一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管有效
| 申请号： | 201410234519.6 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104009090B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;李春来;杨银堂;马剑冲;袁嵩 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
1.一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：
半导体衬底；
位于所述半导体衬底表面的基区和漂移区；
位于所述基区表面的源区；
位于漂移区表面的漏区；
其特征在于：
所述漂移区的上下左右均邻接有重掺杂埋层，所述重掺杂埋层的掺杂类型与半导体衬底相同；所述重掺杂埋层包括：
位于半导体衬底表面、漂移区下方的重掺杂埋层一区；
位于重掺杂埋层一区表面、漂移区左右两侧的重掺杂埋层二区；
位于漂移区和重掺杂埋层二区表面的重掺杂埋层三区；
重掺杂埋层的三个区域均与基区和漏区相邻接。
2.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述漂移区为一个整块区域，重掺杂埋层二区分为两块区域，分别位于漂移区的左右两侧。
3.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述漂移区分为不邻接的n块区域，n≥2，重掺杂埋层二区相应地分为不邻接的n+1块区域，所述n块区域与所述n+1块区域相互间隔排布。
4.根据权利要求3所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述n块区域的宽度相同，所述n+1块区域的宽度相同。
5.根据权利要求1至4任一所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：重掺杂埋层的三个区域的掺杂浓度相同。
6.根据权利要求5所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：重掺杂埋层三个区域的长度与漂移区的长度相同。
7.根据权利要求6所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：重掺杂埋层的三个区域的横截面为规则图形。
8.根据权利要求6所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：重掺杂埋层的三个区域的纵截面为规则图形。
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