[发明专利]一种栅控垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种栅控垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管，把晶体管的沟道区和JFET区从上表面和前后侧面用栅电极包裹起来，这样在正向导通时扩展的栅电极使器件沟道区与JFET区都形成多数载流子积累层，从而能明显减小导通电阻，提高输出电流。而且由于折叠式栅对JFET区电荷的控制能力，可以避免JFET区因为缩小尺寸带来的穿通问题，从而促进元胞的电荷共享作用，优化了垂直电场分布，提高了器件的击穿电压。同时JFET区尺寸缩小有利于元胞小型化，提高元胞密度，从而能够获得更大的电流。

主权项

一种N沟道VDMOS器件，包括栅极(1)、栅氧化层、N+源区(2)、P型基区(3)、N‑漂移区(4)、N+衬底(5)、漏极(6)，其特征在于：所述栅极(1)以及栅氧化层覆盖至沟道区和JFET区的整体上表面和前后侧面，其中沟道区和JFET区的整体上表面被完全覆盖。