[发明专利]一种辅助增强原子层沉积方法

摘要

本发明公开了一种辅助增强原子层沉积方法，应用于原子层沉积设备的反应腔体内，所述反应腔体内放置有沉积基体；所述方法包括步骤一采用等离子体将沉积基体活化；步骤二活化后，将第一前驱体化学吸附于所述沉积基体上；步骤三将第二前驱体与吸附于所述沉积基体上的所述第一前驱体进行反应形成第一薄膜；步骤四按照步骤三的方式，将第i前驱体与形成于所述沉积基体上的薄膜进行反应形成第二薄膜，直至将第N前驱体与形成于所述沉积基体上的薄膜进行反应形成第三薄膜为止，完成一次原子层沉积过程；循环执行步骤二至步骤四，直至在所述沉积基体上形成预设薄膜为止；其中，所述i和N为大于等于0的正整数。

主权项

一种辅助增强原子层沉积方法，其特征在于，所述方法应用于原子层沉积设备的反应腔体内，所述反应腔体内放置有沉积基体；所述方法包括：步骤一：采用体积比为4:1的He和Ar的混合气体的等离子体将沉积基体活化，活化的条件为：在所述等离子体充满所述反应腔体，且产生波长254nm‑365nm的光谱的条件下，照射所述沉积基体10s进行活化；步骤二：活化后，将第一前驱体化学吸附于所述沉积基体上；步骤三：将第二前驱体与吸附于所述沉积基体上的所述第一前驱体进行反应形成第一薄膜；步骤四：按照步骤三的方式，将第i前驱体与形成于所述沉积基体上的薄膜进行反应形成第二薄膜，直至将第N前驱体与形成于所述沉积基体上的薄膜进行反应形成第三薄膜为止，完成一次原子层沉积过程；循环执行步骤二至步骤四，直至在所述沉积基体上形成预设薄膜为止；其中，所述i和N为大于等于0的正整数。