[发明专利]一种SRAM存储单元、SRAM存储器及其控制方法有效
| 申请号： | 201410231080.1 | 申请日： | 2014-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN105336358B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 王颖倩;王楠;李煜;王媛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;徐雁漪 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SRAM存储单元、SRAM存储器及其控制方法，所述存储单元包括：第一上拉晶体管和第一并联下拉晶体管，所述第一上拉晶体管与所述第一并联下拉晶体管连接在一起构成第一反相器，其中所述第一并联下拉晶体管由第一下拉晶体管和第二下拉晶体管并联构成；第二上拉晶体管和第二并联下拉晶体管，所述第二上拉晶体管与所述第二并联下拉晶体管连接在一起构成第二反相器，其中所述第二并联下拉晶体管由第三下拉晶体管和第四下拉晶体管并联构成；所述第一反相器与所述第二反相器交叉耦合。根据本发明实施例的存储单元，可提高生产过程的控制能力，提升双端口SRAM单元的读出电流和静态噪声容限，改善存储单元的失配率，提高了SRAM存储单元的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 存储 单元 存储器 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SRAM存储单元，包括：第一上拉晶体管和第一并联下拉晶体管，所述第一上拉晶体管与所述第一并联下拉晶体管连接在一起构成第一反相器，其中所述第一并联下拉晶体管由第一下拉晶体管和第二下拉晶体管并联构成；第二上拉晶体管和第二并联下拉晶体管，所述第二上拉晶体管与所述第二并联下拉晶体管连接在一起构成第二反相器，其中所述第二并联下拉晶体管由第三下拉晶体管和第四下拉晶体管并联构成；所述第一反相器与所述第二反相器交叉耦合；第一传输晶体管和第三传输晶体管，构成第一端口，第二传输晶体管和第四传输晶体管，构成第二端口；基底，以及位于所述基底内的多个有源区包括第一有源区、第二有源区、第三有源区、第四有源区、第五有源区和第六有源区；所述第二传输晶体管的源极与所述第一下拉晶体管的漏极通过有源层相连接并共同形成于所述第一有源区内；所述第一传输晶体管的源极与所述第二下拉晶体管的漏极通过有源层相连接并共同形成于所述第二有源区内；所述第四传输晶体管的源极与所述第三下拉晶体管的漏极通过有源层相连接并共同形成于所述第五有源区内；所述第三传输晶体管的源极与所述第四下拉晶体管的漏极通过有源层相连接并共同形成于所述第六有源区内。
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