[发明专利]互连结构的形成方法和半导体结构有效
| 申请号： | 201410230783.2 | 申请日： | 2014-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN105206561B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种互连结构的形成方法和一种半导体结构，所述互连结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层至衬底表面，在所述牺牲层内形成开口，所述开口暴露出部分衬底的表面；在所述开口底部的衬底上以及牺牲层上形成催化层；在所述催化层表面形成垂直于衬底表面的碳纳米管束；去除所述牺牲层、位于牺牲层上的催化层和碳纳米管束，保留位于所述开口内的碳纳米管束；形成覆盖所述衬底表面的第一介质层，所述第一介质层的表面与剩余的碳纳米管束的表面齐平；在所述第一介质层和碳纳米管束上形成第二介质层；在所述第二介质层内形成第二导电层，所述第二导电层与碳纳米管束顶部电连接。所述方法可以提高互连结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 方法 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层至衬底表面，在所述牺牲层内形成开口，所述开口暴露出部分衬底的表面；在所述开口底部的衬底上以及牺牲层上形成催化层；在所述催化层表面形成垂直于衬底表面的碳纳米管束；去除所述牺牲层、位于牺牲层上的催化层和碳纳米管束，保留位于所述开口内的碳纳米管束；形成覆盖所述衬底表面的第一介质层，所述第一介质层的表面与剩余的碳纳米管束的表面齐平；在所述第一介质层和碳纳米管束上形成第二介质层；在所述第二介质层内形成第二导电层，所述第二导电层与碳纳米管束顶部电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
