[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置在审
| 申请号： | 201410228115.6 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105206665A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 方磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件，由于栅极结构的一部分延伸入半导体衬底，因此可以实现对沟道的更好的控制，同时具有较高的击穿电压和较好的性能。本发明的半导体器件的制造方法，用于制造上述的半导体器件，制得的半导体器件同样具有上述优点。本发明的电子装置使用了上述的半导体器件，因而同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底内的P阱与N阱、位于所述N阱内的源极与位于所述P阱内的漏极、以及位于所述P阱内的浅沟槽隔离，还包括位于所述半导体衬底上且延伸入所述半导体衬底的栅极结构，其中所述栅极结构延伸入所述半导体衬底的部分与所述浅沟槽隔离所在的位置相对应。
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