[发明专利]电子器件及其制造方法

摘要

本发明涉及电子器件及其制造方法。该电子器件包含基底和限定阱的堤岸结构，该基底具有表面层。该方法包括选择性地向所述表面层施加表面处理以改变所述表面层的第一区域或第二区域的表面能；在所述表面层上沉积限定阱的堤岸结构，所述堤岸结构包含电绝缘材料并且围绕所述第一区域；将第一溶液沉积到所述表面层的第二区域上并且干燥所述沉积的第一溶液以形成层；以及将第二溶液沉积在由第一溶液形成的层上方并且沉积到第一表面层区域上。

主权项

一种制造电子器件的方法，所述电子器件包含具有表面层的基底和在所述表面层上的限定阱的堤岸结构，该方法包括：选择性地向所述表面层施加表面处理以改变所述表面层的第一区域或第二区域的表面能，使得第一溶液在沉积于所述第一区域上时的接触角高于所述第一溶液在沉积于所述第二区域上时的接触角，所述第一区域围绕且邻近于所述第二区域；以及在所述表面层上沉积限定阱的堤岸结构，所述堤岸结构包含电绝缘材料并且围绕所述第一区域；将所述第一溶液沉积到所述表面层的第二区域上并且干燥所述沉积的第一溶液以形成层；以及将第二溶液沉积在由第一溶液形成的层上方并且沉积到所述第一区域上，其中沉积的第一溶液在所述表面层的所述第一区域和第二区域之间的边界处具有定位点并且沉积的第二溶液具有另外的不同定位点。