[发明专利]半导体结构、电阻式存储单元结构及半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 201410217468.6 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105098067A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 林昱佑;李峰旻;李明修 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构、电阻式存储单元结构及半导体结构的制造方法。半导体结构包括绝缘结构、阻挡层(stop layer)、金属氧化物层、电阻结构(resistance structure)以及电极材料层。绝缘结构具有通孔(via)，阻挡层形成于通孔中。金属氧化物层形成于阻挡层上。电阻结构形成于金属氧化物层的一外壁的一底部。电极材料层形成于金属氧化物层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 电阻 存储 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：绝缘结构，具有一通孔(via)；阻挡层(stop layer)，形成于该通孔中；金属氧化物层，形成于该阻挡层上；电阻结构(resistance structure)，形成于该金属氧化物层的一外壁的一底部；以及电极材料层，形成于该金属氧化物层上。
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