[发明专利]一种制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410216718.4 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN105097539B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 隋运奇;韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述半导体衬底上形成包围栅极的侧墙；在所述半导体衬底上曝光形成仅露出PMOS区域的光刻胶层；各向异性刻蚀所述半导体衬底从而在源漏区形成沟槽；各向同性继续刻蚀所述沟槽；执行刻蚀后处理工艺。湿法刻蚀所述沟槽根据本发明的制作方法采用氢气等离子气体作为沟槽刻蚀的最后一步；氢气等离子气体对氮化硅侧墙材料具有超高选择比；氢气刻蚀工艺结合氮气和氢气的混合气体的刻蚀后处理工艺能减弱蚀刻副产物的堆积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述半导体衬底上形成包围栅极的侧墙；在所述半导体衬底上曝光形成仅露出PMOS区域的光刻胶层；各向异性刻蚀所述半导体衬底从而在源漏区形成沟槽；各向同性继续刻蚀所述沟槽；执行刻蚀后处理工艺；湿法刻蚀所述沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
