[发明专利]一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法在审
申请号: | 201410213784.6 | 申请日: | 2014-05-20 |
公开(公告)号: | CN103985786A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 何延如;杨荣;谷士斌;赵冠超;温转萍;李立伟;孟原;郭铁 | 申请(专利权)人: | 新奥光伏能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 065001 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法,由于在透明导电氧化物薄膜上通过压印和第一刻蚀处理形成具有纳米图形的掩膜层,以掩膜层作为遮挡体对透明导电氧化物薄膜进行第二刻蚀处理,清除掩膜层的纳米图形后得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜。这样,可以通过改变掩膜层的纳米图形来灵活调整透明导电氧化物薄膜的绒面结构,在实际操作过程中,相对于湿法刻蚀,其可控性和可重复性增强;并且,以掩膜层作为遮挡体对透明导电氧化物薄膜进行第二刻蚀处理,可以使制得的绒面结构较为规整,从而在不影响太阳能电池效率的前提下,可以达到增强太阳能电池的减反效应或陷光效应的效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 透明 导电 氧化物 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法,其特征在于,包括:在样品上形成透明导电氧化物薄膜;在所述透明导电氧化物薄膜上通过压印和第一刻蚀处理形成具有纳米图形的掩膜层;以所述具有纳米图形的掩膜层作为遮挡体,对所述透明导电氧化物薄膜进行第二刻蚀处理;清除经过第二刻蚀处理后的透明导电氧化物薄膜上的掩膜层的纳米图形,得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的