[发明专利]量子点及其制备方法、量子点LED装置在审
| 申请号： | 201410210079.0 | 申请日： | 2014-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN103956424A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 张懿强 | 申请（专利权）人： | 张懿强 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/00;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 450000 河南省郑州市*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供一种量子点，包括：CdSe核；包覆CdSe核的第一壳层；包覆所述第一壳层的第二壳层；其中，所述第一壳层为激子限制层，所述第二壳层为应力补偿层。其中，所述第一壳层为ZnS层，所述第二壳层为ZnCdS层。通过对CdSe胶体量子点的外部壳层的设计，合成了具有应力补偿型的CdSe/ZnS/ZnCdS胶体量子点，该种量子点与传统的CdSe/ZnCdS/ZnS量子点相比，具有更高的光致发光量子产率，用该量子点制备的半导体发光二极管，也具有更高的电致发光效率，且在高注入电流下，光谱纯度更高，从而更适合用于制备高清显示屏。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 及其 制备 方法 led 装置 | ||
【主权项】：
一种量子点，其特征在于，包括：CdSe核；包覆CdSe核的第一壳层；包覆所述第一壳层的第二壳层；其中，所述第一壳层为激子限制层，所述第二壳层为应力补偿层。
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