[发明专利]硅片刻蚀方法在审
| 申请号： | 201410208594.5 | 申请日： | 2014-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN105097488A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 胡竞之;蒋中伟 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的硅片刻蚀方法，其包括以下步骤：硅片刻蚀步骤，在具有预设厚度的硅片上表面刻蚀斜槽或斜孔，且该预设厚度大于工艺所需的目标厚度；研磨步骤，自硅片上表面研磨硅片，以使硅片的厚度整体减薄至目标厚度。本发明提供的硅片刻蚀方法，其不仅可以避免出现over-hang以及顶部锯齿的现象，而且可以增大刻蚀工艺参数的可调范围，从而可以提高工艺结果的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：硅片刻蚀步骤，在具有预设厚度的硅片上表面刻蚀斜槽或斜孔，且所述预设厚度大于工艺所需的目标厚度；研磨步骤，自所述硅片上表面研磨所述硅片，以使所述硅片的厚度整体减薄至所述目标厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
