[发明专利]一种双向SCR结构的ESD防护器件

摘要

本发明涉及集成电路的静电防护技术领域，公开了一种专用于电源箝位电路的新型双向SCR型ESD防护器件。本发明的双向SCR型ESD器件应用于电源轨与地轨之间，通用于任何不同电位的电源轨之间的静电防护，该器件以其独有的双向导通性，可在ESD事件到来时迅速导通形成低阻抗通路来泄放大电流从而保护内部的核心电路免受ESD事件的损害，再者由于其双向性，在应用于电源轨与地轨之间时，亦可在一定程度上减轻I/O口处二极管对于反向放电的压力。本发明的有益效果是结构简单，成本低。

主权项

一种双向SCR结构的ESD防护器件，其特征在于：包括衬底区(1)、阱区、悬浮衬底区和栅区；所述阱区形成于衬底区(1)之上，包括左方N阱区(2)、右方N阱区(3)，P阱区(4)以及左方深N阱区(5)、右方深N阱区(6)，所述左方N阱区(2)和右方N阱区(3)与所述P阱区(4)相邻，左方深N阱区(5)和右方深N阱区(6)分别与左方N阱区(2)和右方N阱区(3)相邻并需要左方N阱区(2)和右方N阱区(3)提供通路与外界电路及电位相连；所述左方N阱区(2)和右方N阱区(3)为环形N阱区，分别位于左方和右方，左方N阱区(2)和右方N阱区(3)共同被深槽隔离(19)包围；所述左方深N阱区(5)和右方深N阱区(6)分别位于左方环形N阱区(2)和右方环形N阱区(3)之下并与之相接触；所述P阱区(4)位于左方N阱区(2)和右方N阱区(3)之间，P阱区(4)与左方环形N阱区(2)之间表面设有左方N+注入区(11)，P阱区(4)与右方环形N阱区(3)之间表面设有右方N+注入区(12)；悬浮衬底区包括左方悬浮衬底区(7)和右方悬浮衬底区(8)，均为P型，分别位于左方N阱区(2)和右方N阱区(3)内，所述左方悬浮衬底区(7)上设有左方P+注入区(15)和左方N+注入区(10)，所述右方悬浮衬底区(8)上设有右方P+注入区(16)和右方N+注入区(13)，在左方环形N阱区(2)与左方悬浮衬底区(7)之间上方设有左方N+注入区(9)，在右方环形N阱区(3)与右方悬浮衬底区(8)之间上方设有右方N+注入区(14)，左方悬浮衬底区(7)通过左方深N阱区(5)与衬底区(1)相隔离，右方悬浮衬底区(8)通过所述右方深N阱区(6)与衬底区(1)相隔离；所述栅区包括左方栅区(17)和右方栅区(18)，左方栅区(17)形成于左方悬浮衬底区(7)之上，右方栅区(18)形成于右方悬浮衬底区(8)之上，左方栅区(17)和右方栅区(18)包括栅氧化层区和多晶硅区，栅氧化层区设于左方悬浮衬底区(7)和右方悬浮衬底区(8)的上表面。