[发明专利]制造半导体器件的方法以及半导体器件在审
申请号: | 201410199214.6 | 申请日: | 2014-05-12 |
公开(公告)号: | CN104143518A | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | 金本光一 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;H01L23/12;H01L25/04 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李兰;孙志湧 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及制造半导体器件的方法以及半导体器件,改善了半导体器件的可靠性。该制造半导体器件的方法包括在管芯焊盘的芯片安装表面上面布置彼此邻近的多个半导体芯片的步骤。而且,制造半导体器件的方法包括经由导线电耦合半导体芯片和半导体芯片的步骤。在这点上,在耦合导线的步骤中在第二结合侧上提供半导体芯片的焊盘,即芯片对芯片连接焊盘,使得其位于远离半导体芯片的表面的周边部分。 | ||
搜索关键词: | 制造 半导体器件 方法 以及 | ||
【主权项】:
一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:(a)分别提供:引线框架,所述引线框架具有管芯焊盘、用于支撑所述管芯焊盘的多个悬置引线,以及在平面图中被布置在所述管芯焊盘周围的多个引线,第一半导体芯片,所述第一半导体芯片具有第一主表面、在所述第一主表面上面并且沿所述第一主表面的每个边形成的多个第一焊盘,以及与所述第一主表面相反的第一背表面,以及第二半导体芯片,所述第二半导体芯片具有第二主表面、在所述第二主表面上面并且沿所述第二主表面的每个边形成的多个第二焊盘,以及与所述第二主表面相反的第二背表面;(b)在所述步骤(a)之后,在所述管芯焊盘的芯片安装表面中的第一芯片安装区上面安装所述第一半导体芯片,并且在所述管芯焊盘的所述芯片安装表面中的与所述第一芯片安装区相邻定位的第二芯片安装区上面安装所述第二半导体芯片;(c)在所述步骤(b)之后,经由多个第一导线分别将所述第一半导体芯片的所述第一焊盘中的多个引线连接焊盘与所述引线中的第一引线组电耦合,经由多个第二导线将所述第二半导体芯片的所述第二焊盘中的多个引线连接焊盘与所述引线中的第二引线组电耦合,并且经由多个第三导线将所述第一半导体芯片的所述第一焊盘中的多个芯片对芯片连接焊盘与所述第二半导体芯片的所述第二焊盘中的多个芯片对芯片连接焊盘电耦合;以及(d)利用树脂密封所述管芯焊盘、所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、所述第一导线、所述第二导线以及所述第三导线,使得与所述管芯焊盘的所述芯片安装表面相反的表面以及所述引线中的每一个的一部分被暴露,其中,在所述步骤(b)中,所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片被安装为使得所述第一主表面的第一边和所述第二主表面的第一边彼此邻近;其中,在所述步骤(c)中,在所述第三导线的一部分被电耦合到所述第二半导体芯片之后,所述第三导线的另一部分被分别电耦合到所述第一半导体芯片;其中,在所述第一半导体芯片的所述第一边与沿所述第一半导体芯片的所述第一边形成的所述第一半导体芯片的所述芯片对芯片连接焊盘之间的距离大于在所述第二半导体芯片的所述第一边与沿所述第二半导体芯片的所述第一边形成的所述第二半导体芯片的所述芯片对芯片连接焊盘之间的距离,并且其中,在所述引线框架的厚度方向上,所述第一半导体芯片的所述第一主表面和所述第二半导体芯片的所述第二主表面位于所述引线中的每一个和所述管芯焊盘之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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