[发明专利]采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法

摘要

一种采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，包括如下步骤步骤1取一衬底，作为脊型光波导的芯层；步骤2在衬底上相隔预定距离制备两个局部氧化隔离层，形成脊型光波导的两侧包层；步骤3在两个局部氧化隔离层之间及两个局部氧化隔离层上制备一包层，形成脊型光波导的上包层；步骤4将衬底减薄，完成制备。本发明的制作完全采用标准CMOS工艺，可以实现光波导器件与CMOS电路单片集成。

主权项

一种采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，作为脊型光波导的芯层，所述衬底的材料为硅；步骤2：在衬底上相隔预定距离制备两个局部氧化隔离层，形成脊型光波导的两侧包层，所述局部氧化隔离层是通过标准CMOS工艺中的局部氧化技术形成；步骤3：在两个局部氧化隔离层之间及两个局部氧化隔离层上制备一包层，形成脊型光波导的上包层；步骤4：将衬底减薄至1微米‑5微米，形成脊型光波导的下包层，完成制备。