[发明专利]采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法

权利要求书

1.一种采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，包括如下步骤：

步骤1：取一衬底，作为脊型光波导的芯层；

步骤2：在衬底上相隔预定距离制备两个局部氧化隔离层，形成脊型光波导的两侧包层；

步骤3：在两个局部氧化隔离层之间及两个局部氧化隔离层上制备一包层，形成脊型光波导的上包层；

步骤4：将衬底减薄，完成制备。

2.根据权利要求1所述的采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，其中所述衬底的材料为硅。

3.根据权利要求1所述的采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，其中所述局部氧化隔离层是通过标准CMOS工艺中的局部氧化技术形成。

4.根据权利要求1所述的采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，其中所述衬底减薄的方法为：采用反应离子刻蚀、感应耦合等离子体刻蚀、湿法刻蚀或化学机械抛光的方法。

5.根据权利要求4所述的采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，其中所述衬底减薄至1微米-5微米。

6.根据权利要求1所述的采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，其中所述局部氧化隔离层的材料为二氧化硅。

7.根据权利要求1所述的采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，其中所述包层的材料为二氧化硅。