[发明专利]一种MOS栅控晶闸管有效
| 申请号： | 201410190970.2 | 申请日： | 2014-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103956381B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;肖琨;程武;杨骋;王珣阳;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/423;H01L29/10 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)51227 | 代理人： | 李顺德,王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术，具体的说是设计一种MOS栅控晶闸管。本发明对P+阴极接触区10进行改进，增大了P+阴极接触区10的宽度，改变了冶金结形貌，减小了自阴极金属11流入的电子的运输通道。器件正向工作特性受到P+阴极接触区10、N阱9组成的JFET的控制，在相对较小的阳极电压下可发生沟道夹断效应，能控制器件饱和电流的大小。P+阴极区接触区10的结深和宽度可根据器件设计要求进行优化取值。本发明尤其适用于MOS栅控晶闸管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 晶闸管 | ||
【主权项】：
一种MOS栅控晶闸管，其元胞结构包括阳极P区(2)，设置在阳极P区(2)下端面的金属化阳极(1)，设置在阳极P区(2)上端面的N型缓冲层(3)和设置在N型缓冲层(3)上端面的N‑漂移区(4)；所述N‑漂移区(4)的上层设置有P阱(8)、N阱(9)和绝缘栅，其中P阱(8)和N阱(9)位于中间，两边是绝缘栅；绝缘栅由多晶硅导电材料(6)和位于多晶硅导电材料(6)侧面和底面的栅氧化层(5)组成，多晶硅导电材料(6)的上表面设置有金属化栅极(7)；N阱(9)位于P阱(8)的上端面；N阱(9)中包括相互独立的两个P+阴极接触区(10)，两个P+阴极接触区(10)分别与两边的绝缘栅连接；P+阴极接触区(10)的上端面设置有金属化阴极区(11)；其特征在于，金属化阴极区(11)与N阱(9)的冶金结为矩形；P+阴极接触区(10)的间距为0.26μm。
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