[发明专利]薄膜晶体管阵列基板制造方法及薄膜晶体管阵列基板

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，包括在所述基板上形成多晶硅层，所述多晶硅层上沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上形成金属氧化物层，所述金属氧化物层上形成栅极金属层，对所述栅极金属层进行蚀刻以定义栅极，以所述栅极作为第二光罩蚀刻掉第二光罩范围以外的所述金属氧化物层，以所述栅极与剩余的所述金属氧化物层作为第三光罩进行离子植入以分别形成轻掺杂漏极区于所述多晶硅层两侧，于所述栅极与所述栅极绝缘层上形成绝缘层，在绝缘层上形成金属层，并于其上定义源极及漏极分别与所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区相连。本发明还公开了一种具有上述制造方法制备而成的薄膜晶体管阵列基板。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：提供一基板；于所述基板上形成一多晶硅层；于所述多晶硅层中形成一漏极掺杂区及一源极掺杂区；于所述多晶硅层上沉积一栅极绝缘层；于所述栅极绝缘层上形成一金属氧化物层；于所述金属氧化物层上形成一栅极金属层；使用一第一光罩对所述栅极金属层进行蚀刻以定义一栅极；以所述栅极作为一第二光罩蚀刻掉所述第二光罩范围以外的所述金属氧化物层；以所述栅极与剩余的所述金属氧化物层作为一第三光罩进行一离子植入以分别形成轻掺杂漏极区于所述多晶硅层两侧，使所述栅极与所述金属氧化物层覆盖范围相同且并未覆盖所述轻掺杂漏极区；于所述栅极与所述栅极绝缘层上形成绝缘层，分别定义所述多晶硅层的源极掺杂区和漏极掺杂区上方的一过孔；于所述绝缘层上沉积一金属层，并定义一源极及一漏极，所述源极及所述漏极分别通过所述过孔与所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区相连。