[发明专利]高纯硅中不溶物的去除工艺

摘要

本发明公开了一种高纯硅中不溶物的去除工艺，将提纯硅原料表面进行清洁后，通过中频线圈感应加热使其融化，控制熔体局部温度使得不溶物漂浮，再利用冷凝器将漂浮的不溶物吸附掉，最后将除杂后的硅置入定向设备中凝固。本发明所述工艺能够将硅中的碳化硅和氮化硅等已成型的不溶杂质除去，回收利用率稳定，且不会产生新的污染物，保持提纯的硅锭的完整，无气孔，便于切割，有效控制生产成本。

主权项

一种高纯硅中不溶物的去除工艺，其特征在于，所述工艺步骤如下：将提纯硅原料分别用碱性溶液与水进行表面进行清洁，并将其投入中频感应炉中在1450℃～1600℃下使其融化；向熔体内充入2～15min常温高纯气体并进行搅拌，搅拌后碳化硅和氮化硅等不溶杂质浮在表面；利用非金属冷凝器使熔体表面的碳化硅和氮化硅等不溶物吸附在冷凝器上并提取出来；待熔体表面清晰无漂浮物时，确认不溶物提取完成，将熔体温度降低至1450℃～1500℃后将液态硅置入定向设备中；定向设备开启，上端加热，下端冷却进行定向凝固，冷却采用的是压缩空气冷却或水循环冷却，冷却后将其表面的氧化物切除。