[发明专利]多量子阱结构、生长方法及具有该结构的LED芯片

摘要

本发明提供了一种多量子阱结构、生长方法及具有该结构的LED芯片，该多量子阱结构包括多组依次叠置的结构单元各结构单元中包括势阱层和GaN层，GaN层形成于势阱层的表面上，势阱层包括至少一层渐变XGaN层；渐变XGaN层中In的掺杂浓度朝向GaN层方向渐变，X为In或Al。本发明提供的LED芯片中多量子阱结构通过将生长In掺杂量渐变的渐变XGaN层和X掺杂量恒定的恒定XGaN层，并将二者叠加后作为XGaN层，使得多量子阱中空穴和电子的分布中心轴重叠，提高电子向空穴跃迁的效率从而提高了LED芯片的发光效率。

主权项

一种多量子阱结构，包括多组依次叠置的结构单元各所述结构单元中包括势阱层和GaN层，所述GaN层形成于所述势阱层的表面上，其特征在于，所述势阱层包括至少一层渐变XGaN层；所述渐变XGaN层中X的掺杂浓度朝向所述GaN层方向渐变；所述X为In或Al。