[发明专利]具有不连续沟槽的沟槽双极型晶体管有效
| 申请号： | 201410185131.1 | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN103943673B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李宇柱 | 申请（专利权）人： | 常州中明半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所32207 | 代理人： | 高桂珍 |
| 地址： | 213200 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有不连续P型基区的沟槽双极型晶体管，包括金属集电极、P型集电极、N型场终止层和N‑漂移区，晶体管顶部的沟槽栅结构由相互接触的多晶硅栅电极和栅氧化层组成，沟槽栅结构从沟槽中延伸出来，覆盖住顶部一侧的N‑漂移区，在N‑漂移区的另一侧顶部，还包括P型基区，金属发射极同时接触N+反射区和P+接触区。其中，在沿沟槽的延伸方向上，沟槽具有若干缺口。本发明在传统的Trench‑FS IGBT基础上，使沟槽具有周期性的小缺口。在P型基区扩散工序时，P型基区可以穿越这些缺口。这部分P型基区可以有效的屏蔽器件的高电场区域，获得更好的耐压可靠性，而同时基本不影响器件的正向饱和压降。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 连续 沟槽 双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
具有不连续沟槽的沟槽双极型晶体管，包括背面的金属集电极(10)、P型集电极(9)、N型场终止层(8)和N‐漂移区(7)，晶体管顶部具有沟槽栅结构，沟槽栅结构由相互接触的多晶硅栅电极(3)和栅氧化层(6)组成，多晶硅栅电极(3)和栅氧化层(6)从沟槽(11)中延伸出来，覆盖住顶部一侧的N‐漂移区(7)，在N‐漂移区(7)的另一侧顶部，还包括P型基区(5)，P型基区(5)中具有N+发射区(2)和P+接触区(4)，金属发射极(1)同时接触N+发射区(2)和P+接触区(4)；其特征在于：所述沟槽是不连续的，即在沿沟槽(11)的延伸方向上，沟槽具有若干缺口，使P型基区扩散工序时，P型基区穿越所述缺口；所述P型基区(5)只设置于N‐漂移区(7)的一侧，使P型基区层不将沟槽(11)完全包裹起来。
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