[发明专利]具有不连续沟槽的沟槽双极型晶体管有效
| 申请号： | 201410185131.1 | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN103943673B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李宇柱 | 申请（专利权）人： | 常州中明半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所32207 | 代理人： | 高桂珍 |
| 地址： | 213200 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 连续 沟槽 双极型 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.具有不连续沟槽的沟槽双极型晶体管，包括背面的金属集电极(10)、P型集电极(9)、N型场终止层(8)和N-漂移区(7)，晶体管顶部具有沟槽栅结构，沟槽栅结构由相互接触的多晶硅栅电极(3)和栅氧化层(6)组成，多晶硅栅电极(3)和栅氧化层(6)从沟槽(11)中延伸出来，覆盖住顶部一侧的N-漂移区(7)，在N-漂移区(7)的另一侧顶部，还包括P型基区(5)，P型基区(5)中具有N+反射区(2)和P+接触区(4)，金属发射极(1)同时接触N+反射区(2)和P+接触区(4)；其特征在于：所述沟槽是不连续的，即在沿沟槽(11)的延伸方向上，沟槽具有若干缺口，使P型基区扩散工序时，P型基区可以穿越所述缺口。
2.根据权利要求1所述的具有不连续沟槽的沟槽双极型晶体管，其特征在于：所述沟槽的若干缺口为周期性缺口。
3.根据权利要求1或2所述的具有不连续沟槽的沟槽双极型晶体管，其特征在于：所述的沟槽缺口的宽度和间隔距离根据设计要求确定。
4.根据权利要求1或2所述的具有不连续沟槽的沟槽双极型晶体管，其特征在于：所述的沟槽栅结构所包围的区域形状是条形、圆形、方形或者多边形。
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