[发明专利]存储器及其编程电路

摘要

一种存储器及其编程电路，所述存储器包括电熔丝存储单元，所述存储器的编程电路包括：可编程PMOS管组，包括N个可编程PMOS管，所述N个可编程PMOS管的源极相连并适于输入编程电压，所述N个可编程PMOS管的漏极耦接所述电熔丝存储单元的编程电压输入端，所述N个可编程PMOS管的栅极对应接收N位数字信号，每位数字信号对应控制一个可编程PMOS管导通或截止，N为整数且N≥2；数字信号产生单元，适于产生所述N位数字信号。本发明提供的存储器及其编程电路，能够在编程电压的实际值大于设计值时保证电熔丝存储单元被有效地写入数据。

主权项

1.一种存储器的编程电路，所述存储器包括电熔丝存储单元，其特征在于，所述存储器的编程电路包括：可编程PMOS管组，包括N个可编程PMOS管，所述N个可编程PMOS管的源极相连并适于输入编程电压，所述N个可编程PMOS管的漏极耦接所述电熔丝存储单元的编程电压输入端，所述N个可编程PMOS管的栅极对应接收N位数字信号，每位数字信号对应控制一个可编程PMOS管导通或截止，N为整数且N≥2；数字信号产生单元，适于产生所述N位数字信号，所述数字信号产生单元包括：基准存储单元，结构与所述电熔丝存储单元的结构相同；基准PMOS管组，包括N个基准PMOS管，所述N个基准PMOS管的源极相连并适于输入所述编程电压，所述N个基准PMOS管的漏极耦接所述基准存储单元的编程电压输入端，所述N个基准PMOS管的栅极对应接收所述N位数字信号，所述基准PMOS管的尺寸与所述可编程PMOS管的尺寸相同；电压比较器，适于比较参考电压和所述基准存储单元的编程电压输入端的电压，在所述基准存储单元的编程电压输入端的电压高于所述参考电压时产生第一比较信号，否则产生第二比较信号；N位计数器，适于对时钟脉冲进行计数以产生所述N位数字信号，在接收到所述第一比较信号时对所述时钟脉冲进行正向计数，在接收到所述第二比较信号时对所述时钟脉冲进行反向计数。